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 본 논문에서는 반도체 PECVD 공정 장비에서 발생하는 플라즈마 공정 아킹현상에 관련된 RF 전력시스템의 고장사례를 분석한다. PECVD는 RF 전력으로 플라즈마를 생성하여 웨이퍼에 박막을 증착하는 공정이다. PECVD 장비는 RF 발전기와 임피던스 정합기, 공정 챔버를 동축 케이블과 E-CAT 케이블로 연결하여 증착공정 시스템을 구성한다. 반도체 소자기술의 발전에 따라 성능에 부합하는 다양한 박막 특성이 요구된다. RF 전력시스템은 여러 박막 종류에 따른 플라즈마 생성 조건과 반응속도, 챔버 임피던스에 맞는 복잡한 RF 전력 인가가 필요하다. 따라서 RF 전력시스템의 아킹 빈도가 증가한다. PECVD 공정 장비에서 RF 전력시스템의 아킹 고장 진단 향상을 위하여 다양한 사례를 확인하고 전력 임피던스 및 출력 데이터 경향성 분석방법을 검증한다.